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Laermann, Claudia: Ganz in Schwarz - Mode und Accessoires stricken in der edelsten Farbe der Welt
Ganz in Schwarz - Mode und Accessoires stricken in der edelsten Farbe der Welt , Zeitlos elegante Strickmodelle in Schwarz - Von lässig bis edel, aber immer ganz in Schwarz
Im Jahr 1926 schrieb das "Kleine Schwarze" von Coco Chanel Modegeschichte und begründete den zeitlosen Trend von Schwarz in der Mode . Seither steht die Farbe Schwarz in der Damenmode für Eleganz und Selbstbewusstsein . Diese beeindruckenden Eigenschaften spiegeln sich in unseren Strickmodellen wider, die allesamt aus hochwertiger schwarzer Wolle gefertigt sind.
Von legeren Zopfmusterpullis bis hin zu weit geschwungenen Cardigans , von schmal geschnittenen Etuikleidern bis hin zu sexy Armstulpen mit raffiniertem Lochmuster: Unsere Stricklieblinge vereinen die zeitlose Eleganz von Schwarz mit kreativen Designs, präsentiert in einfachen Schritt-für-Schritt-Anleitungen .
Tauchen Sie ein in die Welt des Strickens und kreieren Sie Ihre eigenen Unikate. Stricken Sie Pullover mit V-Ausschnitt oder wärmen Sie sich mit einem eleganten Schal und einer modischen Beanie-Mütze . Probieren Sie sich an Halbpatent-, Waben- und Zopfmustern aus, um einzigartige Texturdetails zu schaffen.
Vervollkommnen Sie Ihren Look mit Rippensocken und einem schmalen Rock oder genießen Sie die Vielseitigkeit eines Cardigans, der sowohl praktisch als auch stilvoll ist. Ein Pulloverkleid in Kombination mit einer kleinen Schultertasche bietet Ihnen eine mühelose Eleganz für jeden Anlass. Setzen Sie Akzente mit einem Bustier oder einem exquisiten Zierkragen .
Die schwarze Wolle verleiht jedem Stück eine zeitlose Anziehungskraft, sei es ein lässiger Bouclé-Rock oder eine elegante Bluse . Die Kombination aus Schwarz in der Mode und raffinierten Stricktechniken eröffnet Ihnen unendliche Möglichkeiten, um Ihre Individualität und Ihr Selbstbewusstsein zum Ausdruck zu bringen. Erschaffen Sie Mode, die zeitlos und elegant ist - genau wie die Farbe Schwarz selbst.
Zeitlos elegante Strickmode in Schwarz
Stilvolle Strickanleitungen von der erfolgreichen Mode-Designerin Claudia Laermann
Hochwertiges Strickbuch für Strick-Liebende , Dichtungen & Dichtungsringe > Motorkühlung , Erscheinungsjahr: 20230915, Produktform: Leinen, Autoren: Laermann, Claudia, Seitenzahl/Blattzahl: 189, Keyword: cocoknits; edle socken stricken; handschuhe stricken buch; lieblingspullover stricken; mützen stricken; pullover stricken buch; pullunder stricken; pullunder stricken anleitung; pulswärmer stricken anleitung; raglan stricken buch; rundpasse stricken buch; socken stricken; stricken bücher; stricken das standardwerk; stricken schal; stulpen stricken buch; tücher stricken, Fachschema: Stricken, Warengruppe: HC/Basteln/Handarbeiten, UNSPSC: 49019900, Warenverzeichnis für die Außenhandelsstatistik: 49019900, Länge: 261, Breite: 198, Höhe: 20, Gewicht: 846, Produktform: Gebunden, Genre: Sachbuch/Ratgeber,
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Mode Accessoires Fashion Accessories, Fachbücher von F. Volker FeyerabendNach dem grossen Erfolg von „Modefigurinen“ und „Fashion - Formen und Stile der Mode“ des Autors Volker Feyerabend kommt nun der Ergänzungsband „Mode-Accessoires“ auf den Markt. Das Buch bietet einen umfassenden Überblick über diesen spannenden Aspekt der Modewelt, dabei werden alle Accessoires in deutscher und englischer Sprache vorgestellt. In den Kapiteln über Schuhe, Taschen, It-Bags und Kultbags, Hüte, Mützen, Schals, Schmuck, Knöpfe, Gürtel, Krawatten, Strümpfe, Fächer usw. führt es dabei alle wichtigen Erscheinungen des 20. und 21. Jahrhunderts auf. Mit mehr als 2500 Illustrationen, inklusive zahlreicher Mode-Illustrationen, wird die Vielseitigkeit übersichtlich und anschaulich präsentiert. „Mode-Accessoires“ ist das gegenwärtig vollständigste Buch dieser Art. Mit seinem reichen Fundus wird es damit zum unentbehrlichen Nachschlagewerk für alle Modeinteressierten, Mode- und Kostümdesigner und Studierende, Verkaufsberater und Konsumenten.49,90 €*Versand: 0,00 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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IDH06G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 6A, TO220AC5. Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode Die 5. Generation ThinQ!TM repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!TM Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOSTM Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich. Merkmale • revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid • hervorragendens Schaltverhalten • keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung • positiver Temperaturkoeffizient • hohe Stoßstromfestigkeit • bleifreie Verbleiung; RoHS-konform • qualifiziert nach JEDEC • Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2) • optimiert für den Hochtemperaturbetrieb Vorteile • verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden • Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf • ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte • höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen • reduzierte EMI Anwendungen • Schaltnetzteile • Leistungsfaktorkorrektur • Solarwechselrichter • unterbrechungsfreie Stromversorgung1,39 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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C4D05120A - SiC-Schottkydiode, 1200V, 9,5A, TO220ACMerkmale • 1,2kV Schottky Gleichrichter • Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom • Hochfrequenzbetrieb • temperaturunabhängiges Schalten • extrem schnelles Umschalten • positiver Temperaturkoeffizient auf VF Vorteile • ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter • minimale Schaltverluste • höhere Effizienz • Reduzierung des Kühlkörperbedarfs • parallele Geräte ohne thermische Ausreißer Anwendungen • Schaltnetzteilee (SMPS) • Boost-Dioden in PFC- oder DC/DC-Stufen • Freilaufdioden in Wechselrichterstufen • AC/DC-Wandler3,41 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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C3D12065A - SiC-Schottkydiode, 650V, 16A, TO220ACMerkmale • 650-Volt Schottky-Gleichrichter • Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom • Null-Wiederherstellungsspannung • Hochfrequenzbetrieb • positiver Temperaturkoeffizient • extrem schnelles Umschalten • positiver Temperaturkoeffizient auf VF - vollständig isoliertes Gehäuse Vorteile • ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter • minimale Schaltverluste • höhere Effizienz • Reduzierung des Kühlkörperbedarfs • parallele Geräte ohne thermische Ausreißer Anwendungen • Schaltnetzteilee (SMPS) • Boost-Dioden in PFC- oder DC/DC-Stufen • Freilaufdioden in Wechselrichterstufen • AC/DC-Wandler5,57 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
IDH10G120C5 - SiC-Schottkydiode, 1200V, 10A, TO220AC
CoolSiCTM SiC Schottky Diode Merkmale • revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid • kein Rückwärts-Rückgewinnungsstrom / keine Vorwärts-Rückgewinnung • positiver Temperaturkoeffizient • niedrige Durchlassspannung auch bei hohen Betriebstemperaturen • hervorragende Wärmeleitung • erweiterte Stoßstromfähigkeit • spezifizierte dv/dt Robustheit • qualifiziert nach JEDEC • bleifreie Verbleiung; RoHS-konform Vorteile • verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden • ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte • Systemgröße / Kosteneinsparungen durch reduzierten Kühlkörperbedarf und kleinere Magnetfelder • reduzierte EMI • höchster Wirkungsgrad über den gesamten Lastbereich • robuster Diodenbetrieb bei Überspannungsereignissen • hohe Zuverlässigkeit • Weiterführende Links: www.infineon.com/sic Anwendungen • Solarwechselrichter • unterbrechungsfreie Stromversorgungen • Motorantriebe • Leistungsfaktorkorrektur Paket-Pin-Definitionen • Pin 1 und Rückseite - Kathode • Pin 2 - Anode
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IDH10G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 10A, TO220AC
5. Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode Die 5. Generation ThinQ!TM repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!TM Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOSTM Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich. Merkmale • revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid • hervorragendens Schaltverhalten • keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung • positiver Temperaturkoeffizient • hohe Stoßstromfestigkeit • bleifreie Verbleiung; RoHS-konform • qualifiziert nach JEDEC • Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2) • optimiert für den Hochtemperaturbetrieb Vorteile • verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden • Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf • ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte • höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen • reduzierte EMI Anwendungen • Schaltnetzteile • Leistungsfaktorkorrektur • Solarwechselrichter • unterbrechungsfreie Stromversorgung
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IDH06G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 6A, TO220AC5. Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode Die 5. Generation ThinQ!TM repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!TM Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOSTM Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich. Merkmale • revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid • hervorragendens Schaltverhalten • keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung • positiver Temperaturkoeffizient • hohe Stoßstromfestigkeit • bleifreie Verbleiung; RoHS-konform • qualifiziert nach JEDEC • Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2) • optimiert für den Hochtemperaturbetrieb Vorteile • verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden • Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf • ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte • höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen • reduzierte EMI Anwendungen • Schaltnetzteile • Leistungsfaktorkorrektur • Solarwechselrichter • unterbrechungsfreie Stromversorgung1,39 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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